概念梳理

一、位错(Dislocation)的概念体系(父/同级/子概念)

1. 概念层级关系(含英文学术名词+文档定位)

概念层级中文术语英文学术名词核心定义课程文档具体定位
父概念晶体缺陷crystalline defects晶体中原子排列偏离理想状态的区域,影响材料性能CAPE2710 Week 4 Task 1a(文档id=5,e-book pages 74-89,“BOUNDARIES IN SINGLE PHASE SOLIDS”)
直接父概念线性缺陷linear defects缺陷延伸呈线状,长度远大于宽度和厚度,位错是唯一常见类型同上,“Plastic deformation in metals – dislocations”小节
同级概念点缺陷point defects缺陷局限于单个或几个原子尺度(如空位、间隙原子)CAPE2710 Week 4 Task 3(文档id=5,e-book pages 97-114,“Vacancy diffusion”)
同级概念面缺陷planar defects缺陷呈面状(如晶界、相界、孪晶界)CAPE2710 Week 4 Task 1a(文档id=5,e-book pages 74-89,“Grain size strengthening”)
子概念刃型位错edge dislocation多余半原子面插入晶体,位错线垂直于滑移方向CAPE2710 Week 4 Task 1a(文档id=5,e-book pages 74-89,附图“Edge Dislocation”)
子概念螺型位错screw dislocation原子面绕位错线螺旋排列,位错线平行于滑移方向同上,附图“Screw Dislocation”
子概念混合位错mixed dislocation同时含刃型和螺型分量,位错线与滑移方向成一定角度CAPE2710 Week 10 Revision(文档id=11,e-book pages 240-245,“Dislocation motion”)

2. 核心术语补充(必记)

  • 滑移面(slip plane):位错运动的平面,由晶体结构决定(如FCC金属的{111}面)
  • 滑移方向(slip direction):位错运动的方向,通常是密排方向(如FCC金属的<110>方向)
  • 滑移系(slip system):滑移面+滑移方向的组合,决定金属塑性
  • 位错密度(dislocation density):单位体积内位错线总长度(单位:m⁻²)
  • 位错运动(dislocation motion):滑移(slip)和攀移(climb,仅刃型位错)

二、位错的核心作用(原理+文档定位)

1. 作为形核位点(降低形核自由能垒)

  • 原理:位错周围原子排列畸变(distortion),存在应力场(stress field),可降低新相(如析出相precipitate、相变产物)形核所需的临界自由能(ΔG*),成为异质形核(heterogeneous nucleation)的优先位点。
  • 公式(形核自由能与位错的关系):
    $$
    \Delta G_{het}^{} = f(\theta) \cdot \Delta G_{hom}^{}
    $$
  • 符号说明:ΔGhet=异质形核临界自由能;ΔGhom=均质形核临界自由能;f(θ)=形状因子(位错作为基底时f(θ)<1,降低自由能垒)
  • 文档定位:CAPE2710 Week 5 Task 3(文档id=9,e-book pages 127-135,“HETEROGENEOUS NUCLEATION”)、Week 9 Task 1(文档id=1,e-book pages 218-229,“PRECIPITATION IN AGE HARDENING ALLOYS”)

hetegenuous存在位错,而homogeneous就不存在,所以hete的形核自由能更低?

2. 金属强化(Strengthening Metals)

  • 原理:位错运动是金属塑性变形的根源,通过阻碍位错运动(如引入第二相粒子、细化晶粒、增加位错密度),需施加更高应力才能使位错滑移,从而提高金属强度。
  • 核心强化机制(子机制):
  • 晶粒细化强化(grain size strengthening):晶界阻碍位错运动,晶粒越细,晶界越多,强化效果越明显(Hall-Petch方程)
  • 析出强化(precipitation strengthening):第二相粒子(如CuAl₂)阻碍位错滑移(奥罗万机制Orowan mechanism)
  • 位错强化(dislocation strengthening):位错之间相互作用(缠绕、交割),阻碍运动
  • 公式(Hall-Petch方程,晶粒细化强化):
    $$
    \sigma_{y} = \sigma_{0} + k_{y} \cdot d^{-1/2}
    $$
  • 符号说明:σy=屈服强度;σ0=位错在无晶界时的强度;ky=Hall-Petch常数;d=平均晶粒直径
  • 文档定位:CAPE2710 Week 4 Task 1a(文档id=5,e-book pages 74-89,“Grain size strengthening”)、Week 9 Task 1(文档id=1,e-book pages 218-229,“PRECIPITATION IN AGE HARDENING ALLOYS”)

3. 导致晶体塑性变形(Plastic Deformation)

  • 原理:金属在应力作用下,位错沿滑移面滑移(slip),大量位错滑移的宏观表现就是塑性变形(如拉伸时的伸长),无需原子整体移动,仅需位错线附近原子少量位移,降低变形所需能量。
  • 核心特点:
  • 塑性变形不可逆(与弹性变形elastic deformation的区别)
  • 滑移系数量决定金属塑性(如Cu、Al等FCC金属滑移系多,塑性好;Mg等HCP金属滑移系少,塑性差)
  • 文档定位:CAPE2710 Week 4 Task 1a(文档id=5,e-book pages 74-89,“Plastic deformation in metals – dislocations”)、Week 10 Revision(文档id=11,e-book pages 240-245,“Dislocation motion”)

4. 影响原子扩散(Diffusion)

  • 原理:位错线周围原子排列疏松,形成“短路扩散通道”(short-circuit diffusion pathway),原子沿位错扩散的激活能(activation energy)远低于晶格扩散(lattice diffusion),尤其在低温下,位错扩散占主导。
  • 扩散系数对比:
    $$
    D_{dislocation} > D_{lattice}
    $$
  • 说明:Ddislocation=位错扩散系数;Dlattice=晶格扩散系数
  • 文档定位:CAPE2710 Week 4 Task 3(文档id=5,e-book pages 97-114,“short circuit diffusion”)、Week 10 Revision(文档id=11,e-book pages 240-245,“Diffusion along dislocations”)

位错承担扩散功能仅仅发生在solid state transformation的diffusive型转变之中?

5. 参与固态相变(Solid-State Phase Transformation)

  • 原理:
  • 扩散型相变(diffusional transformation):位错作为形核位点,促进析出相形成(如Al-Cu合金的θ相)
  • 无扩散型相变(diffusionless transformation):位错作为原子协同运动的通道,如马氏体(martensite)转变中,原子沿位错线剪切位移(shear displacement),形成新相结构
  • 文档定位:CAPE2710 Week 6 Task 3(文档id=2,e-book pages 155-157,“DISPLACIVE TRANSFORMATIONS”)、Week 9 Task 2(文档id=1,e-book pages 230-237,“MARTENSITE”)

6. 促进晶体生长(Crystal Growth)

  • 原理:螺型位错的螺旋面提供了连续的生长台阶(growth ledges),原子无需形成新的二维核(2D nucleus)即可沿台阶附着生长,降低生长激活能,尤其适用于原子光滑界面(atomically smooth interface)的晶体。
  • 生长速率公式(螺型位错主导生长):
    $$
    R \propto \Delta T_{k}^{2}
    $$
  • 符号说明:R=生长速率;ΔTk=动力学过冷度(kinetic undercooling)
  • 文档定位:CAPE2710 Week 6 Task 1(文档id=2,e-book pages 136-148,“GROWTH ON IMPERFECTIONS”)

三、关键公式与定理(必考核心)

1. 位错的柏氏矢量(Burgers vector,b)

  • 定义:描述位错畸变程度和方向的矢量,是位错的核心特征(刃型位错b垂直于位错线,螺型位错b平行于位错线)
  • 公式(柏氏回路定义):
    $$
    \oint \vec{dl} = \vec{b}
    $$
  • 符号说明:dl=柏氏回路中原子的步长矢量;b=柏氏矢量(大小等于晶体中原子间距)
  • 文档定位:CAPE2710 Week 10 Revision(文档id=11,e-book pages 240-245,“Burgers vector”)

2. 奥罗万机制(Orowan mechanism,析出强化核心)

  • 原理:位错绕第二相粒子弯曲并交割,产生额外阻力,提高强度
  • 公式(奥罗万应力):
    $$
    \sigma_{Orowan} = \frac{G b}{2 \pi \lambda} \cdot ln\left(\frac{d}{b}\right)
    $$
  • 符号说明:G=剪切模量;b=柏氏矢量;λ=第二相粒子间距;d=第二相粒子直径
  • 文档定位:CAPE2710 Week 9 Task 1(文档id=1,e-book pages 218-229,“Particle Orowan Bypass”)

3. 位错密度与强度关系(位错强化)

  • 公式:
    $$
    \sigma = \sigma_{0} + \alpha G b \sqrt{\rho}
    $$
  • 符号说明:σ=强度;σ0=初始强度;α=比例常数(≈0.2);G=剪切模量;b=柏氏矢量;ρ=位错密度
  • 文档定位:CAPE2710 Week 10 Revision(文档id=11,e-book pages 240-245,“Dislocation strengthening”)

四、文档快速定位对照表(精准查找原文)

知识点对应文档文档id具体位置(e-book页码/小节)
位错概念与分类Week 4 Task 1a5pages 74-89,“Plastic deformation in metals – dislocations”
位错形核作用Week 5 Task 39pages 127-135,“HETEROGENEOUS NUCLEATION”
金属强化机制Week 9 Task 11pages 218-229,“PRECIPITATION IN AGE HARDENING ALLOYS”
塑性变形与位错滑移Week 10 Revision11pages 240-245,“Dislocation motion”
位错与扩散Week 4 Task 35pages 97-114,“short circuit diffusion”
位错与固态相变Week 6 Task 32pages 155-157,“DISPLACIVE TRANSFORMATIONS”
位错与晶体生长Week 6 Task 12pages 136-148,“GROWTH ON IMPERFECTIONS”
柏氏矢量与奥罗万机制Week 9 Task 11pages 218-229,“Particle Orowan Bypass”

五、备考关键提示(针对满分目标)

  1. 概念层级必记:明确“晶体缺陷→线性缺陷→位错”的归属,区分刃型/螺型/混合位错的结构差异(考试常考分类题)。
  2. 核心作用关联记忆:位错的所有作用都源于“原子排列畸变+应力场”,比如形核(利用应力场降自由能)、强化(应力场阻碍位错运动)、扩散(畸变区提供通道)。
  3. 公式必考重点:Hall-Petch方程(晶粒细化)、奥罗万应力(析出强化)、位错密度-强度关系,需理解每个符号的物理意义,不用死记数值。
  4. 术语对应英文:考试题干为英文,需熟练对应“dislocation→位错”“slip system→滑移系”“Burgers vector→柏氏矢量”等核心术语。
  5. 文档核心位置:Week 4(位错基础)、Week 9(强化应用)、Week 10(复习汇总)是位错相关知识点的核心文档,优先精读。

材料性能中的作用

核心结论

位错(dislocation)是控制材料强度(strength)、塑性(ductility)、韧性(toughness)、硬度(hardness) 的核心微观缺陷——材料的性能本质上由“位错能否运动、运动难易程度”决定:阻碍位错运动则强度/硬度提高,位错能顺畅运动则塑性/韧性更好,反之则变脆。

一、位错的基本定义(文档位置)

  • 中文定义:位错是晶体中原子排列的线状缺陷,是塑性变形的主要载体(材料发生塑性变形本质就是位错的滑移(slip)或攀移(climb))。
  • 英文标注:位错(dislocation)、滑移(slip)、攀移(climb)、塑性变形(plastic deformation)
  • 文档位置
  1. Week 7 文档(CAPE2710 Week 7.pdf):Task 1 中“Grain size strengthening”章节,e-book pages 158-166,明确提到“晶界作为位错运动的屏障”。
  2. Week 10 文档(CAPE2710 Week 10.pdf):“Plastic deformation in metals – dislocations”章节,包含位错类型(刃型位错 edge dislocation、螺型位错 screw dislocation)的图示和解释。

二、位错与关键性能的核心关系(分点详解)

1. 位错与强度(Strength)—— 阻碍位错=提高强度

核心逻辑:材料的强度(如屈服强度 YS、抗拉强度 UTS)是“使位错开始运动所需的最小应力”——位错越难运动,强度越高。

  • 关键机制与文档依据
  • ① 析出强化(precipitation strengthening):
    • 原理:合金中的沉淀相(precipitate)如 Al-Cu 合金中的 CuAl₂(θ相)、7075 铝合金中的 MgZn₂(η’相),会成为位错运动的“障碍物”,位错需绕过(Orowan 机制)或切过沉淀相才能继续运动,消耗更多能量,导致强度升高。
    • 文档位置:Week 9 文档(CAPE2710 Week 9.pdf)Task 1“PRECIPITATION IN AGE HARDENING ALLOYS”,e-book pages 218-229;“Mechanical Properties of Some Commercial Precipitation-Hardening Alloys”表格,明确列出沉淀相与屈服强度的对应关系(如 2024 铝合金含 S 相,YS=390MPa)。
  • ② 晶粒细化强化(grain size strengthening):
    • 原理:晶界(grain boundary)是位错运动的天然屏障——位错穿过晶界时需改变运动方向,晶界越多(晶粒越细),位错受阻越明显,强度越高。
    • 文档位置:Week 7 文档“Grain size strengthening”章节,e-book pages 158-166,提到“晶界阻碍位错运动,晶粒取向差越大,阻碍效果越显著”。
  • ③ 固溶强化(solid solution strengthening):
    • 原理:溶质原子(如 Cu 溶于 Al 基体)会造成晶格畸变(lattice distortion),对位错产生“钉扎”作用,阻碍位错滑移,提高强度。
    • 文档位置:Week 3 文档(2710 Week 3.pdf)Task 1“Binary Eutectic Phase Diagram”,e-book pages 44-55,固溶体(solid solution)形成过程及对性能的影响。
  • 核心公式(强度与位错的定量关联)
    霍尔-佩奇方程(Hall-Petch equation)描述晶粒细化对强度的影响:
    $$\sigma_y = \sigma_0 + k_y d^{-1/2}$$
    其中:σ_y 为屈服强度,σ_0 为无晶界时的强度,k_y 为晶界阻碍系数,d 为晶粒直径(d 越小,σ_y 越大)。

2. 位错与塑性(Ductility)—— 位错能运动=塑性良好

核心逻辑:塑性是材料发生永久变形而不断裂的能力,而塑性变形的本质就是“大量位错持续滑移”——没有位错的完美晶体(perfect crystal)塑性极差(几乎脆断),位错越多、越容易滑移,塑性越好。

  • 文档依据
  • Week 9 文档“Effects of Heat Treatment on Mechanical Properties”章节,e-book pages 230-237:淬火(quench)后的钢形成马氏体(martensite),马氏体中含有大量缠结的位错(dislocation tangles),位错难以运动,因此塑性极差(伸长率 elongation 低);回火(temper)后,马氏体分解为铁素体(ferrite)+ 球状渗碳体(spheroidal cementite),位错可顺畅滑移,塑性恢复(如 0.4wt%C 钢回火后伸长率提高)。
  • Week 10 文档“CORED DENDRITES IN CAST CU-30W”章节:铸造合金的枝晶(dendrite)结构中,位错可在枝晶内部滑移,使材料具有一定塑性;若枝晶过于粗大或存在大量脆性相,位错运动受阻,塑性下降。

3. 位错与韧性(Toughness)—— 位错运动=吸收能量=韧性提高

核心逻辑:韧性是材料断裂前吸收能量的能力,而位错运动的过程会消耗能量(如克服晶界、沉淀相的阻碍)——位错能运动则能量被吸收,韧性高;位错被“锁死”(如马氏体中),能量无法释放,材料易脆断,韧性低。

  • 文档依据
  • Week 9 文档“QUENCHING AND TEMPERING”章节:淬火态马氏体(brittle martensite)中位错密度极高且缠结,无法运动,断裂前几乎不吸收能量,韧性极低;回火后位错缠结解开,可滑移,韧性显著恢复(如 AISI 1060 钢回火温度越高,韧性越好)。
  • Week 13 图片题目反馈:“除晶粒细化外,多数提高强度的处理会降低韧性”——本质是强化机制(如析出强化、淬火)阻碍了位错运动,能量无法释放,导致韧性下降。

4. 位错与硬度(Hardness)—— 位错难运动=硬度高

核心逻辑:硬度是材料抵抗局部压入变形的能力,与强度正相关——位错越难运动,材料越难发生局部变形,硬度越高。

  • 文档依据
  • Week 9 文档“Mechanical Properties of Some Commercial Precipitation-Hardening Alloys”表格:含细小沉淀相的合金(如 7075 铝合金,含 η’相),位错被强烈阻碍,硬度和强度均高于无沉淀相的纯铝(pure Al)。
  • Week 7 文档“Grain size strengthening”:细晶粒材料的硬度高于粗晶粒材料,因晶界对位错的阻碍作用更强。

三、关键总结(考试核心考点)

性能与位错的关系典型案例(文档来源)
强度位错受阻越严重,强度越高淬火钢(马氏体)> 回火钢;细晶粒 > 粗晶粒
塑性位错易滑移,塑性越好回火钢 > 淬火钢;纯铝 > Al-Cu 时效强化合金
韧性位错能运动(吸收能量),韧性越高;位错被锁死,韧性越低正火钢(珠光体)> 淬火钢;晶粒细化同时提高强度和韧性
硬度位错难运动,硬度越高7075 铝合金(时效态)> 6061 铝合金

四、文档核心位置索引(快速查找原文)

  1. 位错基本概念与滑移:Week 10 文档“Plastic deformation in metals – dislocations”,e-book pages 190-217
  2. 析出强化与位错:Week 9 文档“PRECIPITATION IN AGE HARDENING ALLOYS”,e-book pages 218-229
  3. 晶粒细化与位错:Week 7 文档“Grain size strengthening”,e-book pages 158-166
  4. 热处理对於位错与性能的影响:Week 9 文档“QUENCHING AND TEMPERING”,e-book pages 230-237
  5. 强度-塑性-韧性的权衡:Week 13 图片题目反馈 + Week 9 文档“Effects of Heat Treatment on Mechanical Properties”

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