位错的生成
晶体生长过程中的位错
晶体生成过程中的位错，主要分为两个原因，一是内部因素，一是外部因素.
对于内因，就是晶体凝固的不均匀分布，先后凝固的成分不同，导致晶体点阵常数形成差异，从而产生位错.
对于外因，一是物理因素，二是化学因素.
- 物理因素
- 热力学影响：温度梯度（冷却时体积变化产生的热应力）
- 机械力学影响：相邻晶体的碰撞或液流冲击
- 化学因素：浓度梯度
以上这些因素都可以造成晶体表面产生台阶或受力变形，从而产生位错.
空位聚集
高温较快凝固及冷却→空位聚集→形成位错
简而言之，就是点位错聚集在一起，形成位错片，坍塌后形成位错环. 这也是点缺陷可以转化为线缺陷的原因.
应力集中
晶面和微裂纹的附近 → 应力集中 → 使该局部区域发生滑移时 → 产生位错
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